Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Serija
MTM
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,378
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,457
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,378
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,457
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,378 | € 7,56 |
100 - 180 | € 0,268 | € 5,36 |
200 - 480 | € 0,261 | € 5,23 |
500 - 980 | € 0,254 | € 5,08 |
1000+ | € 0,249 | € 4,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Serija
MTM
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas