Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Serija
MTM
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,587
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,71
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,587
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,71
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,587 | € 5,87 |
100 - 190 | € 0,332 | € 3,32 |
200+ | € 0,289 | € 2,89 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Serija
MTM
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas