Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
MTM
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Ilgis
2mm
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,524
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,634
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,524
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,634
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,524 | € 26,20 |
100+ | € 0,34 | € 17,01 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
MTM
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Ilgis
2mm
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas