Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,864
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,045
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10
€ 0,864
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,045
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.