Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
186 W
Configuration
Dual
Pakuotės tipas
Q0BOOST
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
22
Transistor Configuration
Dual
Matmenys
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 100,28
už 1 vnt. (be PVM)
€ 121,34
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
€ 100,28
už 1 vnt. (be PVM)
€ 121,34
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
186 W
Configuration
Dual
Pakuotės tipas
Q0BOOST
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
22
Transistor Configuration
Dual
Matmenys
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C