Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
224 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN8 5 x 6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,095
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 4,955
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 4,095
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 4,955
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
224 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN8 5 x 6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V