Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,52
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 3,049
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
€ 2,52
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 3,049
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
1500 - 6000 | € 2,52 | € 3 780,00 |
7500+ | € 2,468 | € 3 701,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia