Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,813
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,984
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
25
€ 0,813
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,984
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,813 | € 20,33 |
50 - 100 | € 0,613 | € 15,32 |
125+ | € 0,465 | € 11,61 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas