Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V dc
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.65mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 7,33
€ 0,733 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 8,87
€ 0,887 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 7,33
€ 0,733 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 8,87
€ 0,887 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,733 | € 7,33 |
100 - 240 | € 0,632 | € 6,32 |
250 - 490 | € 0,547 | € 5,47 |
500+ | € 0,483 | € 4,83 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V dc
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.65mm
Produkto aprašymas