Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,047
Each (In a Pack of 250) (be PVM)
€ 0,057
Each (In a Pack of 250) (su PVM)
Standartas
250
€ 0,047
Each (In a Pack of 250) (be PVM)
€ 0,057
Each (In a Pack of 250) (su PVM)
Standartas
250
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
250 - 750 | € 0,047 | € 11,64 |
1000+ | € 0,041 | € 10,21 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China