Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-2 to -15mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,387
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,468
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,387
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,468
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,387 | € 19,37 |
100 - 950 | € 0,227 | € 11,34 |
1000 - 2950 | € 0,154 | € 7,72 |
3000 - 8950 | € 0,135 | € 6,77 |
9000+ | € 0,129 | € 6,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-2 to -15mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.