Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 8mA
Maximum Drain Source Voltage
0.2 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
80 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,392
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,474
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,392
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,474
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,392 | € 19,58 |
100 - 950 | € 0,185 | € 9,24 |
1000 - 2950 | € 0,143 | € 7,14 |
3000 - 8950 | € 0,123 | € 6,14 |
9000+ | € 0,121 | € 6,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 8mA
Maximum Drain Source Voltage
0.2 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
80 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.