Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDiode Configuration
Series
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Maximum Reverse Voltage
7V
Pakuotės tipas
SOT-23
Diode Technology
Silicon Junction
Kaiščių skaičius
3
Maximum Forward Voltage Drop
600mV
Maximum Diode Capacitance
1pF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.11mm
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.11mm
Produkto aprašymas
RF Band Switching Diodes, ON Semiconductor
RF (Radio Frequency) diodes suitable for use in HF, RF and Microwave mixing and detection applications.
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,047
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,057
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,047
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,057
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDiode Configuration
Series
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Maximum Reverse Voltage
7V
Pakuotės tipas
SOT-23
Diode Technology
Silicon Junction
Kaiščių skaičius
3
Maximum Forward Voltage Drop
600mV
Maximum Diode Capacitance
1pF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.11mm
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.11mm
Produkto aprašymas
RF Band Switching Diodes, ON Semiconductor
RF (Radio Frequency) diodes suitable for use in HF, RF and Microwave mixing and detection applications.
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.