Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Aukštis
6.35mm
Plotis
2.38mm
Maximum Power Dissipation
20 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,578
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 0,699
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 0,578
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 0,699
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
75 - 75 | € 0,578 | € 43,31 |
150 - 300 | € 0,543 | € 40,71 |
375+ | € 0,52 | € 38,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Aukštis
6.35mm
Plotis
2.38mm
Maximum Power Dissipation
20 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm