Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
90 V
Pakuotės tipas
TO-204AA
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum DC Current Gain
25
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
4 V
Kaiščių skaičius
2
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Matmenys
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Kilmės šalis
Mexico
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,225
Each (In a Tray of 100) (be PVM)
€ 6,322
Each (In a Tray of 100) (su PVM)
100
€ 5,225
Each (In a Tray of 100) (be PVM)
€ 6,322
Each (In a Tray of 100) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
90 V
Pakuotės tipas
TO-204AA
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum DC Current Gain
25
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
4 V
Kaiščių skaičius
2
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Matmenys
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Kilmės šalis
Mexico
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.