Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Aukštis
4.58mm
Plotis
3.86mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.58mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,185
Each (In a Bag of 1000) (be PVM)
€ 0,224
Each (In a Bag of 1000) (su PVM)
1000
€ 0,185
Each (In a Bag of 1000) (be PVM)
€ 0,224
Each (In a Bag of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Aukštis
4.58mm
Plotis
3.86mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.58mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.