Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
94 W
Number of Transistors
1
Pakuotės tipas
TO-3PF
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.7 x 5.7 x 24.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Gate Capacitance
2590pF
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Energy Rating
325mJ
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,328
Each (In a Tube of 360) (be PVM)
€ 2,817
Each (In a Tube of 360) (su PVM)
360
€ 2,328
Each (In a Tube of 360) (be PVM)
€ 2,817
Each (In a Tube of 360) (su PVM)
360
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
94 W
Number of Transistors
1
Pakuotės tipas
TO-3PF
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.7 x 5.7 x 24.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Gate Capacitance
2590pF
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Energy Rating
325mJ
Kilmės šalis
Korea, Republic Of