Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Plotis
4.67mm
Aukštis
15.21mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,612
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,161
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 2,612
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,161
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,612 | € 5,22 |
10 - 98 | € 2,232 | € 4,46 |
100 - 248 | € 1,805 | € 3,61 |
250 - 498 | € 1,71 | € 3,42 |
500+ | € 1,615 | € 3,23 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Plotis
4.67mm
Aukštis
15.21mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China