Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
PQFN4
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,152
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2,604
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 2,152
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2,604
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
PQFN4
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V