Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
208 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 10 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 35V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,181
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,219
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,181
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,219
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
208 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 10 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas