Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,09
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,109
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,09
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,109
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,09 | € 270,90 |
9000 - 42000 | € 0,079 | € 236,25 |
45000 - 96000 | € 0,07 | € 211,05 |
99000+ | € 0,068 | € 204,75 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Kilmės šalis
China