Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,267
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,323
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,267
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,323
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,267 | € 2,67 |
100+ | € 0,255 | € 2,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas