Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Configuration
Single
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
5.33mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,108
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,131
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
3000
€ 0,108
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,131
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,108 | € 324,45 |
6000 - 9000 | € 0,105 | € 315,00 |
12000 - 15000 | € 0,10 | € 299,25 |
18000 - 21000 | € 0,098 | € 292,95 |
24000+ | € 0,093 | € 280,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Configuration
Single
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
5.33mm