Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,09
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,109
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
€ 0,09
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,109
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C