Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,081
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,098
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
200
€ 0,081
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,098
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
200
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,081 | € 16,17 |
1000 - 2800 | € 0,057 | € 11,34 |
3000 - 8800 | € 0,044 | € 8,82 |
9000+ | € 0,04 | € 7,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas