Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Voltage
-50 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
15 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,97
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 1,174
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
25
€ 0,97
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 1,174
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Maišas |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,97 | € 24,26 |
50 - 75 | € 0,952 | € 23,81 |
100 - 225 | € 0,625 | € 15,62 |
250+ | € 0,611 | € 15,28 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Voltage
-50 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
15 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C