Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,17
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,206
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
€ 0,17
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,206
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,17 | € 8,50 |
500 - 950 | € 0,07 | € 3,52 |
1000 - 2450 | € 0,048 | € 2,42 |
2500 - 4950 | € 0,043 | € 2,14 |
5000+ | € 0,039 | € 1,95 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas