Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China
€ 10,92
€ 1,092 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 13,21
€ 1,321 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 10,92
€ 1,092 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 13,21
€ 1,321 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China