Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
4.82mm
Plotis
10.28mm
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Ilgis
15.75mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,824
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,997
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,824
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,997
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,824 | € 41,18 |
100 - 450 | € 0,773 | € 38,66 |
500 - 950 | € 0,754 | € 37,72 |
1000+ | € 0,736 | € 36,81 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
4.82mm
Plotis
10.28mm
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Ilgis
15.75mm