Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-4 → -16mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,335
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
€ 0,335
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,335 | € 16,75 |
250 - 450 | € 0,145 | € 7,24 |
500 - 2450 | € 0,139 | € 6,93 |
2500 - 4950 | € 0,117 | € 5,83 |
5000+ | € 0,102 | € 5,09 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-4 → -16mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.