Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
25 → 75mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
60 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,203
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,246
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
€ 0,203
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,246
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
25 → 75mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
60 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.