Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Kaiščių skaičius
6
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.75mm
Ilgis
2mm
Serija
PowerTrench
Plotis
2mm
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Pakuotės tipas
MLP
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Markė
ON SemiconductorTypical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,679
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,822
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 0,679
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,822
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,679 | € 3,40 |
25 - 95 | € 0,565 | € 2,83 |
100 - 245 | € 0,358 | € 1,79 |
250 - 495 | € 0,341 | € 1,71 |
500+ | € 0,321 | € 1,61 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Kaiščių skaičius
6
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.75mm
Ilgis
2mm
Serija
PowerTrench
Plotis
2mm
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Pakuotės tipas
MLP
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Markė
ON SemiconductorTypical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V