Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Aukštis
1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,373
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,451
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,373
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,451
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,373 | € 3,73 |
100 - 190 | € 0,337 | € 3,37 |
200 - 390 | € 0,319 | € 3,19 |
400 - 790 | € 0,302 | € 3,02 |
800+ | € 0,262 | € 2,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Aukštis
1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.