Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
UMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.2 x 1.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Malaysia
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
10

P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
UMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.2 x 1.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Malaysia