Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
UMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum DC Current Gain
220
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.2 x 1.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,14
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,169
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,14
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,169
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,14 | € 6,98 |
250+ | € 0,059 | € 2,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
UMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum DC Current Gain
220
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.2 x 1.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas