Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,268
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,324
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,268
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,324
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 125 | € 0,268 | € 6,69 |
150 - 725 | € 0,122 | € 3,04 |
750 - 1475 | € 0,116 | € 2,89 |
1500+ | € 0,075 | € 1,86 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas