Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-243AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.6mm
Aukštis
1.6mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,862
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,043
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,862
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,043
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,862 | € 17,24 |
40 - 80 | € 0,82 | € 16,40 |
100+ | € 0,756 | € 15,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-243AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.6mm
Aukštis
1.6mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.