Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
25 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
15 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.7mm
Plotis
4.826mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.51mm
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,942
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,35
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,942
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,35
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,942 | € 9,71 |
25 - 95 | € 1,89 | € 9,45 |
100+ | € 1,785 | € 8,92 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
25 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
15 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.7mm
Plotis
4.826mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.51mm
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.