Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
HiperFET
Pakuotės tipas
SOT-227
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
25.07mm
Ilgis
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
335 @ 10 V nC
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
9.6mm
€ 52,72
€ 52,72 už 1 vnt. (be PVM)
€ 63,79
€ 63,79 už 1 vnt. (su PVM)
1

€ 52,72
€ 52,72 už 1 vnt. (be PVM)
€ 63,79
€ 63,79 už 1 vnt. (su PVM)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
HiperFET
Pakuotės tipas
SOT-227
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
25.07mm
Ilgis
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
335 @ 10 V nC
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
9.6mm