Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serija
IRFR5305PBF
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Plotis
7.49mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,59
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,714
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,59
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,714
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serija
IRFR5305PBF
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Plotis
7.49mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V