Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
IRF9410
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,196
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,237
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,196
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,237
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
IRF9410
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V