Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
59 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V, 9.1 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.98mm
Plotis
3.99mm
Transistor Material
Si
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.57mm
€ 4,71
€ 0,471 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 5,70
€ 0,57 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 4,71
€ 0,471 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 5,70
€ 0,57 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,471 | € 4,71 |
100 - 190 | € 0,323 | € 3,23 |
200+ | € 0,307 | € 3,07 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
59 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V, 9.1 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.98mm
Plotis
3.99mm
Transistor Material
Si
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.57mm