Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
18.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7807ZPbF
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,292
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,353
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,292
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,353
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
18.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7807ZPbF