Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
OptiMOS™-T
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
0.026 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,535
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,647
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
15
€ 0,535
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,647
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
15
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
OptiMOS™-T
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
0.026 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si