Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPD25CN10N G
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Aukštis
2.41mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,63
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,762
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,63
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,762
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPD25CN10N G
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Aukštis
2.41mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V