Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serija
OptiMOS™-T
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Plotis
10.25mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.4mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,605
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 6,782
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 5,605
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 6,782
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 20 | € 5,605 | € 28,02 |
25 - 45 | € 5,32 | € 26,60 |
50 - 120 | € 4,845 | € 24,22 |
125+ | € 4,56 | € 22,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serija
OptiMOS™-T
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Plotis
10.25mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.4mm