Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.2 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
1200 kW
Configuration
Half Bridge
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Channel Type
N
Kilmės šalis
Germany
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon FF1200XTR17T2P5PBPSA1 Half Bridge IGBT, 1.2 kA 1700 V, Screw Mount
1

P.O.A.
Infineon FF1200XTR17T2P5PBPSA1 Half Bridge IGBT, 1.2 kA 1700 V, Screw Mount
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.2 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
1200 kW
Configuration
Half Bridge
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Channel Type
N
Kilmės šalis
Germany