Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0001mA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,248
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,30
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25
€ 0,248
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,30
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0001mA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas