Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerDI3333-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.78mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,388
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,47
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,388
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,47
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerDI3333-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.78mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas