Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.35mm
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
€ 262,20
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 317,26
€ 0,105 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 262,20
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 317,26
€ 0,105 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.35mm
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China